سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: نهمین کنگره سالانه انجمن مهندسین متالورژی ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

سهیل مسلمی – دانشجوی کارشناسی ارشد – گرایش شناسایی وانتخاب ومواد، گروه مهندسی متال
ابوالقاسم عطائی – دانشیار ، گروه مهندسی متالورژی و مواد ، دانشکده فنی، دانشگاه تهران

چکیده:

هگزا فریت باریم جانشین شده توسط La-Sn، LaySnxO19 با y<0.5 و x>0 توسط روش شیمیایی هم رسوبی سنتز شد . جهت سنتز نانوذرات مغناطیسی هگزافریت باریم از مواد اولیه کلریدی با نسبت مولی آهن به باریم ۱۱ استفاده گردید . فرآیند هم رسوبی در دمای محیط وتوسط رسوب دهنده NaOH انجام شد . نمونه های سنتز شده در دماهای ۹۰۰ و ۱۰۰۰درجه سانتیگراد کلسینه شدند . تاثیر میزان عناصر جانشین شده بر ترکیب فازی و مورفولو ژی محصولات بترتیب با استفاده از تکنیک های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت . نتایج XRD نشان داد که نمونه هم رسوبی شده قبل از کلسیناسیون دارای ساختار آمورف می باشد . همچنین نتا یج XRD نشان می دهد با کلسیناسیون نمونه سنتز شده در دمای۰۰۹ درجه سانتیگراد، فاز هگزا فریت باریم به همراه فازهای میانی تشکیل شده و با افزایش x و y و نیز دمای کلسیناسیون مقدار فاز مغناطیسی هگزافریت باریم افزایش یافته و از مقدار فازهای میانی که غیر مغناطیس هستند، کاسته می شود . همچنین نتایج SEM دلالت بر کوچکتر شدن اندازه متوسط ذرات و تغییر نسبت قطر به ضخامت آنها با افزایش x و y دارد .