سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

حسین مختاری – گروه فیزیک دانشگاه یزد
نیره صحتی – گروه فیزیک دانشگاه یزد

چکیده:

در این کار تجربی اثرات ناخالصی سیلیکون در شکل گیری عیوب کریستالی در ماده گالیم نیتراید مورد بررسی قرار گرفته است . بررسی های انجام شده بر روی دو نمونه گالیم نیتراید با ناخالصیهای متفاوت از سیلیکون نشان می دهد که افزایش ناخالصی فوق موجب کاهش عیوب کریستالی و توزیع یکنواخت تر آنها در ماده می شود . با توجه به اینکه عیوب کریستالی مانند تله هائی برای حاملها عمل می کنند کاهش عیوب کریستالی در ماده موجب افزایش تحرک پذیری حاملها در ماده گردیده و در نتیجه گالیم نیتراید خواص الکتریکی بهتری را از خود نشان خواهد داد