سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی فتحی پور – دانشیار دانشگاه تهران
حامد نعمتیان – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، تهران
فاطمه کهنی – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، تهران

چکیده:

در این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصههای الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق DG-SOIMOSFETs در ناحیه زیر آستانه پرداخته شده است . شبیه سازیهای انجام شده نشان میدهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت (CG,eff) میشود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد . با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD/LS) ، خازنهای لبهای(CFringe) کوچک می گردند و در نتیجهCG,effکاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان – ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند