سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

مینا باغگر – آزمایشگاه نانوفیزیک ، دانشکده فیزیک دانشگاه تهران
یاسر عبدی –
عزت اله ارضی –

چکیده:

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر رشد نانولوله های کربنی برروی زیر لایۀ سیلیسیومی در حضور کاتالیست نیکل با استفاده از روش لایه نشانی با بخار شیمیایی به کمک پلاسما بررسی شده است. مشاهده شده است که راستای رشد نانولوله ها و میزان زاویۀ خمش آنها نسبت به راستای عمود متأثر از شدت میدان مغناطیسی اعمالی در هنگام رشد آنها است. همچنین مدلی برای نحوه رشد نانولوله ها در حضور میدان مغناطیسی ارایه شده است که نتایج آن با نتایج تجربی سازگار است.