سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

ادریس فیض آبادی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران
محمدرضا خیاط زاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده:

با در نظر گرفتن ساختار ابرشبکه InAs/GaAs or InxGa(1-x)As/InAs قطبیدگی اسپین الکترونها و ضریب عبور آنها را تحت اثر عدم تقارن معکوس (BIA) ساختار و در حضور برهمکنش اسپین مدار مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شده است که با بهینه کردن درصد ایندیوم و فاصلة بین دو لایة ناخالصی تحت هامیلتونی درس الهاوس، می توان به قطبیدگی %۱۰۰ برای اسپین الکترونها رسید . همچنین شرایط گذار مات برای سیستم مورد مطالعه قرار گرفته است . وابستگی انرژی گذار به پهنای سد نیز بررسی شده است