سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا سادات حسینی – گروه فیزیک دانشگاه الزهرا
رضا ثابت داریانی –

چکیده:

مطالعه ای بر روی ترابرد الکتریکی لایه های سیلیکان متخلخل با استفاده از مکانیزم پول-فرنکل انجام شد. به همین منظور لایه های سیلیکان متخلخل در اثر فرایند خوردگی آندی زیر لایه های سیلیکان نوع (۱۰۰) p آماده شدند. سپس ویژگی های جریان-ولتاژ ساختار فلز-سیلیکان متخلخل-سیلیکان نوع p مورد مطالعه قرار داده شد. منحنی های اندازه گیری شده جریان-ولتاژ، رفتار یکسو کننده آهسته ای را در بازهV 6-6 نشان دادند. با توجه به ضخامت لایه های به دست آمده که با استفاده از روش وزن سنجی مشخص شدند و در نظر گرفتن مکانیزم پول-فرنکل، انتظار منحنی متقارنی را داشتیم. عدم تقارن به دست آمده را مورد بررسی قرار دادیم و علت آن را به سهم بیشتر اتصال در مقایسه با سهم مقاومت حجم لایه PS، برای محدود کردن جریان در دمای اتاق نسبت به دماهای پایین تراز دمای اتاق نسبت دادیم. به طور کلی، مشاهده رسانندگی افزایش یافته با میدان الکتریکی، حاکم بودن مکانیزم پول-فرنکل را تایید می کند.