سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

هادی عربشاهی – گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
سپیده گل افروز شهری – گروه فیزیک دانشکده تربیت معلم سبزوار

چکیده:

در این مقاله تحرک پذیری الکترون ها در حد میدان های الکتریکی ضعیف باشد. (E <105 N/m) بررسی شده و با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار وابستگی آن به دما و چگالی الکترون ها در دو نیمرسانای AlP و InP مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، آهنگ پراکندگی از فنون های اکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است محاسبات نشان می دهد که تحرک پذیری الکترون ها در دماهای بالا کاهش می یابد که علت آن شروع فرآیند های پراکندگی فونونی پویژه پراکندگی ناشی از فونون های اپتیکی قطبی می باشد در حالیکه در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحریک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی یونیده می باشد.