سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مریم غلامی – گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود
حمید هراتی زاده – گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، انستیتوی فیز
پراولاف هولتز – انستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ، لینشوپینگ، سوئد

چکیده:

حضور نیتروژن در InGaAs علاوه بر تغییرات زیادی که در ساختار نواری آن به وجود می آورد، با ایجاد افت و خیزهای پتانسیل و ناهمواریهایی در ساختار، باعث تشکیل مراکز تله و جایگزیدگی می گردد . جایگزیدگی نیز از یک طرف با کاهش زمان بازترکیب اکسیتونها مفید باعث افزایش بازده اپتیکی و از طرف دیگر به علت ایجاد بازترکیبهای غیر تابشی باعث کاهش بازده اپتیکی قطعه می گردد . یکی از عوامل کاهش جایگزیدگی، افزایش شدت نور تحریکی نمونه نیمه رساناست که با افزایش آن و پر شدن مراکز جایگزیدگی، قله طیف فتولومینسانس نیز به انرژی های بالاتر انتقال می یابد . در نمونه های با نیتروژن بیشتر انتقال بیشتر است و دستیابی به حالت اشباع حاصل نمی گردد . افزایش دما نیز با کاهش افت و خیزها و تنشهای سطحی، اثرات جایگزیدگی را کاهش می دهد، لذا تغییر شدت تحریک، اثری در تغییر قله های طیفهای فتولومینسانس ندارد .