سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا اسلامی مقدم – گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
هادی عربشاهی – گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده:

در این مقاله با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، به بررسی تفاوت های برخی از خواص ترابردی الکترون در ساختار وورتسایت و زینک- بلند نیمرسانای GaN، از نیمرساناهای گروه III-V با گاف نواری مستقیم، که در قطعات با دما و فشار بالا مورد استفاده قرار می گیرد، می پردازیم. با استفاده از یک مدل سه دره ای، سرعت سوق به دست آمده برای الکترون ها در دمای اتاق در ساختار زینک- بلند ؟؟؟؟؟؟ در حد میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] و در ساختار وورتسایت [به متن مقاله مراجعه شود] در میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] آمده است.