سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

فاطمه دهقان نیری – آزمایشگاه تحق
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ،گروه مهندسی برق وکامپیوتر ،دانشک
محمدهادی ملکی – آزمایشگاه لایه نشانی، بخش مهندسی تولید و تحقیقات لیزر،سازمان انرژی
رویا جلالی – آزمایشگاه تحق

چکیده:

در این مقاله، مقاومت تماسی دو ساختار Ni/Cu و Ti/Pd/Ag به سیلیکون چند بلوری نوع n اندازه گیری و بررسی شده است . ساختار Ni/Cu به دلیل ایجاد ارتفاع سد شاتکی بسیار کوچک ( غیر قابل اندازه گیری با روش ) C-V علاوه بر داشتن تماس اهمی بسیار مناسب با مقاومت تماسی بسیار کوچک به عنوانمناسبترین و ارزانترین ساختار به منظور تماس بر روی سیلیکون با مقدار معین آلایش انتخاب می شود . طبق نتایج بدست آمده مقاومت ویژه تماسی ساختار Ni/Cu بعد از گرمادهی در دمای ۳۲۰ ° C به ۴,۸*۱۰به توان ۶- رسیده است و در مورد ساختار Ti/Pd/Ag بعد از گرمادهی در دمای ۴۸۰ °C به ۸*۱۰ به توان ۶-رسیده است .