سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

فاطمه دهقان نیری – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیار پور – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
شمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک

چکیده:

لایه های نازک اکسید روی بر روی زیر لایه های شیشه و سیلیکون (۱۰۰) با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است.لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (۹۹/۹۹%) و بدون گرمادهی زیر لایه ها با تغییر توان RF از ۵۰ تا ۳۵۰ وات انجام شده و تاثیر توان لایه نشانی روی ساختار سطحی، کیفیت بلوری، خواص نوری و تنش این لایه ها بررسی شده است. آنالیز پراش اشعه (XRD)x بر روی نمونه های لایه نشنی شده با توان RF کمتر از ۲۰۰ وات ساختار بلوری و جهت غالب (۰۰۲) را نشان میدهد . البته توان ۱۵۰ وات به دلیل داشتن پیک با شدت زیاد در جهت (۰۰۲) از کیفیت بالای بلوری برخوردار است. نتایج آنالیز پراش اشعه x مربوط به توان ۱۵۰ وات را نشان می دهد که دارای کمترین مقدار نصف عرض پیک (FWHM) یعنی ۰/۴۳ درجه سانتی گراد می باشد. آنالیز میکروسکوپ الکترونی (SEM) انجام شده از نمونه ها حاکی از آن است که اندازه دانه های رشد داده شده با توان ۱۵۰ وات درمقایسه با بقیه بزرگترین مقدار است. همچنین یکنواختی و چگال بودن لایه را نیز به طور واضح نشان می دهد. آنالیز طیف نگاری نیز نشان می دهد که لایه اکسید روی با توان ۱۵۰ وات درصد عبور بالای یه طور میانگین ۸۵% در محدوده نور مرئی را دارا می باشد. همچنین انرژی باند ممنوعه این لایه ها از ۳٫۲۵ev تا ۳٫۳۱ev بسته به توان لایه نشانی تغییر می کند.