سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: سیزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

شهرام محمدنژاد – دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری
مریم پورمحی آبادی – دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری

چکیده:

در این مقاله حساسیت بهره نسبت به ولتاژ و دما در آشکارسازهای نوری بهمنی ۱InGaAs/Si (APDs) تحلیل،شبیه سازی و روابط حساسیت نیز استخراج شده است. برای ساختن چنینAPDهایی در بازه بزرگی از طول موج، ازمرئی تا ۱/۵μm ، ترکیبی از InGaAs و سیلیکون InGa Asبه عنوان لایه جاذب وSi به عنوان لایه تکثیر کننده نویزپایین) مطلوب است. آشکارسازهایInGaAs/Si به دلیلداشتن مشخصات جالب (بهره بالا و نویز پایین ) در سیتمهای ارتباطات نوری با نرخ بیت بالا مورد استفاده قرار می گیرند،اماAPD های InGaAs/InP دارای نویز زیادی هستند. این مقاله برتریSi نسبت به InP در حساسیت بهره به ولتاژاعمالی و دما را نشان می دهد.