سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

جواد باعدی – گروه فیزک ، آزمایشگاه الکتروسرامیک دانشگاه فردوسی مشهد، گروه فیزیک د
احمد کمپانی – گروه فیزک ، آزمایشگاه الکتروسرامیک دانشگاه فردوسی مشهد
سیدمحمد حسینی – گروه فیزک ، آزمایشگاه الکتروسرامیک دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده:

در این مقاله خواص الکترونیکی از جمله ساختار نواری وچگالی حالتها برای سرامیک پروسکایت Pb(Zr0.5Ti0.5)O3 درفاز بلوری منوکلینک ارائـه شـده اسـت. محاسبه به روش پتاسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی (FP-LAPW)درچارچوب نظریه تابعی چگـالی (DFT)بـا تقریـب شـیب تعمـیم یافتـه(GGA, GGA+U و با در نظر گرفتن U=0.6, 1.1., 1.5Red بترتیب برای اتم هایسرب، زیر کونات و تیتانیم گاف انرژی برابر Eg=3.02eV و Eg=2.923eVبدست آمد . این مقادیر خیلی نزدیکتر به مقدار تجربی یعنی ۳٫۲۵eV است و نشان می دهد که وارد کردن اثر اسپین الکترون در اربیتال d منجر به نتایج بهتری می شود .