سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

فاطمه قلی زاده – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد قم

چکیده:

در این پژوهشطیف انرژی، تغییرات اندازهی نانوذرات نیمهرسانا و همچنین تغییرات جرم موثر کاهشیافته در نانوذرات نیمهرسانایSnO2 تهیه شده با روشهای مختلف بررسی شدهاند. مدلهای کوانتومی به کار رفته در این بررسی، تقریب جرمموثرEMA)1 و مدل نواری هیپربولیکHBM)2 است. مقایسه نتایج نشان میدهد که رفتار پراکندگی حول و حوشیکمقدار خاصدر مورد مدلهای مختلف، متفاوت میباشد و این رفتار به نحوه تهیه و آنالیز نمونهها بستگی دارد. همچنین مدلهای کوانتومی EMA وHBM در نانوساختارهای نیمهرسانا با گاف انرژی مستقیم بزرگ و کوچکرفتار کوانتومی و تغییرات آن با اندازه ذرات مورد بررسی قرارگرفتهاند. نتایج بررسی حاکی از آن هستند که مقدار گاف انرژی تاثیر مستقیم بر روی رفتار اثر کوانتومی در نانوساختارهای نیمهرسانا دارد البته علاوه بر این مسئله، اختلاف گاف انرژیهای مختلف نیز دارای رفتارهای مختلفی میباشد