سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

هاجر توحیدی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، گروه فیزیک ، دانشگاه زنجان
علی رضا مشفق – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا
امید اخوان – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

چکیده:

دراین تحقیق لایه های نازک SiO2 بر روی زیر لایه ITO حاوی نانو ذرات اکسید مس به روش سل – ژل تهیه شدند. بامحاسبه گاف انرژی و آنالیز XPS، حضور فاز Cu2O تایید شد. خواص سطحی نمونه ها توسط میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) ، مورد ارزیابی قرار گرفت و میانگین اندازه ذرات روی سطح نمونه های پخت شده دمای ۲۰۰ درجه سانتی گراد حدود ۱۰۰nm بدست آمد. آنالیز XRD اندازه نانو کریستالهای CuO با جهت گیری های (۱۱۱) , (۰۱۰) به ترتیب ۹nm , 23nm نشان داد. خاصیت الکتروکرومیکی لایه ها برای غلظت های ۶۰% و ۴۵% بترتیب ۳۰ و ۵۰ درصد مشاهده شد.