سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

امیرمسعود صادقی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
محمدابراهیم قاضی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
هادی عربشاهی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار

چکیده:

در این مقاله تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای InAs با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار محاسبه و بستگی تحرک پذیری به دما و اتمهای یونیده مطالعه و با نیمرسانای GaAs مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری پراکندگی از فونونهای اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل ، پیزوالکتریک ، اتمهای یونیده و فونونهای اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیرسهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است .
محاسبات ما نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر از ۵۰ K به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی از فونونها به شدت کاهش می یابد و در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحرک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده مقایسه شده است و توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد