سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدرضا خلوتی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی –

چکیده:

با استفاده از شبیه سازی مونتو کارلو، مدلی سه ذره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InPو GaAs در حضور میدانهای شدید مورد استفاده قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InP بیشتر ازGaAs بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد. اشباع سریع سرعت سوق در InP کاربردهای اپتوالکترونی این ماده را پیشنهاد می کند. این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است.