سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا اسلامی مقدم – گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی – گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده:

در این مقاله بستگی دمایی و میدان الکتریکی ترابرد الکترونها در نیمرسانا InP به روش شبیه سازی مونت کارلو بررسی شده ، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونونها و ناخالصی های یونیزه نیز در نظر گرفته شده است. با استفاده از یک مدل سه دره ای ، سرعت سوق بدست آمده برای الکترونها در InP در دمای اتاق (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) در میدان آستانه (فرمول در متن اصلی) می باشد. چنین سرعت سوق بالایی InP را کاندیدای خوبی جهت طراحی قطعات الکترونی در دما و توان های بالا معرفی می کند.