سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

عباس آذریان – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
سیدمحمد مهدوی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
نجمه السادات تقوی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

سیستم CdO/Psi/Si به کمک اندایز کردن الکتروشیمیایی پایه سیلیکن کریستالی نوع P+ و لایه نشانی لایه اکسید کادمیم به روش لیزر پالسی، ساخته شد. سپس نمونه ها در هوا و در دمای ۵۰۰ درجه سانتی گراد پخت شدند. طیف عبور اپتیکی نمونه ها نشان داد که با انجام عملیات پخت بر میزان عبور اپتیکی لایه اکسیید کادمیم به میزان قابل توجهی افزوده میگردد.نتایج آزمایش XRD نشان داد که ساختار لایه CdO پلی کریستالی با اندازه مرز دانه های حدود ۲۵۰nm است. بررسیمنحنی I-V نمونه های CdO/PSi/Si نشان داد که با تابش نور، جریان گذرنده از نمونه در بایاس معکوس افزایش قابل توجهی را نشان می دهد. همچنین خواص حسگری نمونه ها مانند سرعت پاسخ و حساسیت مورد اندازه گیری قرار گرفت. نتایج نشان داد که این سیستم می تواند به عنوان حسگر نوری با حساسیت و سرعت پاسخ خوب مورد استفاده قرار گیرد.