سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – آزمایشگا
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
هادی ملکی – پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی
رضا افضل زاده – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

لایه های نازک نیترید سیلیکون(Si3N4) بر روی زیرلایه های مولتی کریستال سیلیکون و شیشه نازک با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی در محیط گاز آرگن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی با زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد. با تغییر توان لایه نشانی، لایه هایی با خواص نوری متفاوت بدست می آید. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که درمحیط آرگن و با توان بین ۳۵۰-۱۰۰ وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نوری بیشتر از ۹۲ % در توان بین ۱۵۰-۱۰۰ وات در طیف وسیعnm 300-1200 دارا میباشند. همچنین لایه هایی که با توان ۱۵۰-۱۰۰ وات لایه نشانی میشوند، دارای گاف انرژی در حدود ۵eV میباشند.