سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

مجید قناعت شعار – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
محمد مهدی محمد مهدی – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مهتاب اصل دهقان – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه

چکیده:

دراین مقاله خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک SnO2 و SnO2:Co که با روش تبخیر پرتو الکترونی تهیه شد هاند بررسی شده است. فیلم ها دارای عبور نوری متوسط ۷۰ ٪ ، ساختار آمورف و مقاومت بالا هستند. پس از بازپخت، گاف انرژی و رسانندگی آنها افزایش یافته و ساختار بلوری پیدا می کنند. مشاهده شده است که در همه شرایط، گاف انرژی و رسانندگی فیلم های SnO2 از فیلم های SnO2:Co با ضخامت یکسان بیشتر است.