سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

نفیسه رضائی بادافشانی – دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان
سیدجواد هاشمی فر – دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی اکبرزاده – دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی اصفهان

چکیده:

ماتوابع وانیر بیشینه جایگزیده مرز مشترک CrAs/GaAs را در حالت فرومغناطیس محاسبه کرده ایم. در کانال اسپین پایین ۳۲ حالت اشغال شده می باشندو مراکز توابع وانیر بیشینه جایگزیده مربوط به این حالت ها بر روی پیوند حضور دارند. در کانال اسپین بالا ۲۰ حالت دیگر مربوط به اوربیتال های d3اتم Cr اضافه می شوند. از بین ۳۲ تابع وانیر قرار گرفته بر روی پیوند ، ۸ تابع وانیر بر روی مرزمشترک CrAs/GaAs خواهند بود. مرکز این ۸ تابع وانیر در حالت اسپین بالا جابه جایی نسبت به راستای پیوند در جهت زیر لایه (GaAs) نشان می دهد. حضور میدان الکتریکی ناشی از تغییرات پتانسیل الکتروستاتیکی کل بر روی مرزمشترک Ga/As/Cr منشأ چنین جابه جایی هایی است.