سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

فاطمه دهقان نیری – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیارپور – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
محمد رضا کتابداری – آزمایشگاه اشعه ایکس واحد اکتشاف سازمان انرژی اتمی.
شمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

چکیده:

در این مقاله ساختارهای Ti/Cu و Mo/Cu با مقاومت تماس اهمی بسیار پایین برروی مولتی کریستال سیلیکون لایه نشانی شده است. لایه نشانی با بیم الکترونی در شرایط خلأ بسیار بالا انجام شده و برای رسیدن به یک تماس اهمی مناسب نمونه ها در دماهای مختلف گرمادهی شده اند. تأثیر ضخامت، زمان و دمای گرمادهی روی کیفیت تماس اهمی این ساختارها بررسی شده است .مقاومت تماس حاصل برای ساختارهای Mo و Ti به ترتیب (در متن اصلی موجود می باشد) می باشد. در نهایت با مقایسه بین نتایج بدست آمده ساختار Mo/Cu به عنوان تماس اهمی مناسب برای سلولهای خورشیدی مذکور انتخاب شده است.