سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هفتمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

ایرج مرادی – دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
رسول اژئیان –
کیوان جهانشاهی – دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
مهدی میرابانها – دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده:

در برخی از مقالات مربوط به گیرنده های نوری سلنیومی، از سلنیوم هگزاگونال زنجیره ای، مانند ساختار گوگرد صحبت به میان آمده است . همچنین در بیشتر مقالات مربوط به صفحه های گیرنده نوری پایه سلنیومی از سل نیوم بی شکل (a-Se) صحبت می شود. برای مشخص شدن این موضوع ساختار بلورین و مرفولوژی لایه های نازک سلنیوم در میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. با پراش الکترون زاویه کوچک می توان ساختار ریزدانه های بلورین را در محدوده بسیار کوچکی(حدود۵nm) بررسی کرد، در صورتی که این کار به خاطر طول موج بزرگ تر اشعه ایکس مقدورنمی باشد . سلنیوم دارای پنج ساختار بلورین شناخته شده است، که محدوده دمایی آنها، بسیار به هم نزدیک میباشد. و لذا تغییرات جزئی دما باعث تبدیل یک ساختار به ساختارهای دیگر میشود. در این تحقیق، ابتدا به روش تبخیر فیزیکی در خلأ (PVD) لایه های نازک سلنیوم کاملاً بی شکل در فشار (در متن اصلی موجود می باشد) و دمای زیرلایه در دمای محیط، لایه هائی به ضخامت nm20-50 به دست آمد . سپس بعد از انتقال لایه روی نگهدارنده نمونه الکترونی، لایه های مذک ور را ضمن مشاهده و پراش الکترونی، همزمان با تابش اشعه الکترون در درون میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) تحت تاثیر عملیات حرارتی قرار گرفت. آزمایشها نشان داد که لایه ها در محدوده کوچک به صورت تک بلورهای هگزاگونال بودند . از این آزمایش ها می توان نتیجه گرفت، که تک بلورهای ریز سلنیوم به طور نامنظم توزیع شده اند، که به آنها ریزبلورهای بی شکل گفته می شود. سلنیوم در این محدوده دمایی ۱۲۵ درجه سانتی گراد دارای ساختار هگزاگونال زنجیرهای میباشد.