سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

علی کاظم پور – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
رحیم فائز – دانشگاه صنعتی شریف
علی شاه حسینی – دانشگاه آزاد اسلامی قزوین

چکیده:

اتصال بین نانوتیوب های تک لایه (SWCNT) و لیدهای فلز، اهمیت زیادی در ساخت ادوات الکترونیکی مخصوصا ترانزیستورهای سد شاتکی دارد. در این مقاله به بررسی اثر سد شاتکی ایجاد شده در اتصال جانبی بین نانوتیوب (۸,۰) و شبکه <110> پالادیم به روش تئوری تابع چگالی پرداختیم. در نهایت با بررسی سطوح فرمی سیستم اتصالی (نانوتیوب – پالادیم) و نانوتیوب ذاتی ارتفاع سدشاتکی ۰٫۳۴eV تعیین شد که در مقایسه با مقدار آزمایشگاهی ۰٫۴V از دقت خوبی برخوردار است.