سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: شانزدهمین همایش انجمن بلور شناسی و کانی شناسی ایران

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

قاسم انصاری پور – دانشکده ی فیزیک، دانشگاه یزد، یزد

چکیده:

دراین مقاله خاصیت پیزوالکتریک درلایه تحت کرنش SiGe در ساختار چند لایه ای را بااستفاده ازروش گرماسنجی شابنیکف دهاس مورد مطالعه قرارداده ایم. سپس یک مدل نظری را فرمولبندی کرده ونتایج آن را با داده های ت تجربی برازش داده وضریب پیزوالکتریک آنر محاسبه کرده ایم. این مقدار با نتایج گزارش شده ی اخیرتوافق خوبی نشان می دهد.