سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علی قاسمی – دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت معلم سبزوار
سیدابراهیم حسینی –

چکیده:

در این نوشتار میزان تاثیر محل فلزگیت و میزان تاثیراندازه طول بر عملکرد یک MOSFET لایه نازک در ابعاد نانومتر، بررسی شده است. شبیه سازی نشان می دهد، هر چه مکان گیت را به درین نزدیک نمائیم میزان جریان، نسبت به حالتی که گیت در وسط یا نزدیک سورس باشد، کاهش خواهد یافت و مقاومت خروجی ترانزیستور نیز در همین حالت، به ازای شرایط خاصی، مقداری منفی خواهد بود. در ضمن با تغییر طول کانال از ۱۵nm تا ۱۰۰nm بازای ولتاژهای بایاس مختلف، میزان DIBL در طول کانالهای مختلف و نیز کاهش ولتاژ آستانه ( Threshold-voltage roll off) بازای ولتاژهای بایاس مختلف بررسی شده است.