سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

ادریس فیض آبادی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران، دانشگاه علم و صنعت , تهران
محمدرضا خیاط زاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران
مهدی سلیمانی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران

چکیده:

ساختار نواری دو مادة GaAs و InAs با استفاده از تئوری ۸ نواری کین ، محاسبه شده است و با تکیه بر آن در حضور برهمکنش اسپین – مدار و با استفاده از مدل نوارهای صلب ساختار نواری برای ماده بی نظم In بدست آمده است . با استفاده از آن شفافیت سد نیمرسانا و قطبیدگی اسپین برای عبور الکترونها از این ساختار بی نظم محاسبه گردیده است . همچنین اثر درصد ناخالصی بر قطبیدگی اسپین و شفافیت سد بررسی شده است .