سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

مجید شالچیان – پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، nMat Group, CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
سید مجتبی عطاردی – پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف
Gerard BenAssayag – nMat Group, CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Jeremie Grisolia – Département de Génie Physique, LNMO-INSA, 135 Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, France.

چکیده:

در این مقاله محل ذخیره بارهای الکتریکی در نانو کریستال هایی که با روش کاشت یونی با انرژی فوق العاده کم (۱KeV) سنتز شده اند مورد بررسی قرار گرفته است. بدین منظور مدلسازی لازم با فرض ذخیره بار الکتریکی در تراز های کوانتمی نانو کریستال های سیلیکان انجام شده است و زمان تخلیه یک الکترون بر حسب پارامتر های مختلف ساختار از جمله ابعاد نانو کریستال و ضخامت سد
پتانسیل تخمین زده شده است. این مدلسازی نشان می دهد که نگهداری داده ها به مدت زمان ۱۰ سال برای نانو کریستال هایی به ابعاد ۴ نانومتر و ضخامت اکسید ۵ نانو منر قابل پیش بینی است. از طرفی مشخصه مدت زمان نگهداری داده ها در افزاره ساخته شده نشان دهنده زمان تخلیه داده ها به مدت ۱۰ سال می باشد و لذا امکان آنکه تراز های کوانتمی مراکز غالب ذخیره بار در این نانو کریستال ها باشند وجود دارد.