سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

بایرام کاظم پور – دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر
منوچهر کلافی – پزوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله اثر نقص مربوط به مواد راستگرد و چپگرد در بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قارار گرفته شده است . نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده حاصله از مواد راستگرد دارای پاشندگی مثبت بوده و در حالیکهدر مواد چپگرد پاشیدگی می تواند منفی و یا تقریبا صفر باشد . در این کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک و رفتار میدان مدهای نقص در مواد راستگرد و چپگرد گزارش شده است .