سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

لیلا عقلی مقدم – گروه فیزیک، دانشگاه اراک
غلامرضا نبیونی – گروه فیزیک، دانشگاه اراک
اکبر زنده نام – گروه فیزیک، دانشگاه اراک
علی اکبر فراشیانی – گروه مخابرات نوری، مرکز تحقیقات مخابرات ایران، تهران

چکیده:

در این تحقیق به بررسی عملی نفوذ حرارتی لایه روی انباشتی بر سطح د یالکتریک نیوبا تلیتیم x-cut (به روش کندوپاش مگنترون – DC) پرداخته شده است. هدف، برقراری ارتباط بین مقدار روی نفوذ دهی شده در نیوبا تلیتیم و تغییرات گاف نواری ساختار حاصل است. آنالیز RBS برای بررسی میزان نفوذ روی در نیوبا تلیتیم و آنالیز اسپکتروفوتومتری برای تعیین تراگسیل نور و گاف نواری نمونه ها به کار رفت. نتایج حاصل از طیف RBS تبادل یون های نئوبیم از زیرلایه با یون های روی از لایه سطحی و همچنین افزایش گرادیان غلظت روی با افزایش دمای نفوذ را نشان می دهد. آنالیز اسپکتروفوتومتری نیز در توافق کامل با نتایج RBS، کاهش اندازه گاف نواری نیوبا تلیتیم د یالکتریک اولیه را با افزایش غلظت روی موجود در آن نشان می دهد.