سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

شیده کبیری عامری ابو ترابی – آزمایشگ
نسرین خزامی پور – آزمایش
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشک
شمس الدین مهاجر زاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشک

چکیده:

در این تحقیق لایه های نازک اکسید روی (ZNO) با توانهای مختلف بر روی لایه هایی از آلومینا (Al2o3) به شیوه کندو پاش RF لای هنشانی شده و ساختار کریستالی مورفولوژی سطح مقاومت ویژه عبور نوری لایه ها در ناحیه مرئی به ترتیب توسط آنالیزهای ؛ XRD. SEM اندازه گیری مقاومت و طیف سنجی UV/VIS/IR بررسی شده است . نتایج نشان می دهد که با افزایش توان عبور نوری لایه های اکسید روی در ناحیه مرئی افزایش و شدت کریستالی لایه ها کاهش می یابد . رشد لایه ها در جهت کریستالی (۰۰۲) بوده و کمترین مقاومت ویژه مربوط به لایه های اکسید روی لایه نشانی شده با توان ۱۵۰وات می باشد