سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی مس

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

مهدیه سادات – کارشناس ارشد فیزیک اتمی مولکولی، دانشگاه اراک
اکبر زنده نام – دکترای فیزیک ،دانشگاه اراک ، آزمایشگاه فنون نانو و لایه نشانی
مرضیه شیرازی – کارشناس ارشد فیزیک اتمی مولکولی، دانشگاه اراک

چکیده:

در این تحقیق با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسیDCلایه های نازک مس با ضخامتnm25-300 بر روی شیشه برای استفاده در اتصالات بینابینی در صنایع مختلف در دماهای زیرلایه و بازپخت مختلف ، انباشت شدند . تأثیر دمای زیرلایه ۳۰۰-۵۰۰K) در هنگام لایه نشانی و نیز افزایش دمای بازپخت در خلأ ، بر رشد نانو ذرات مس بررسی شد . خواص ساختاری لایه های مس توسط آنالیزهای AFM و XRD مورد بررسی قرار گرفت. ویژگی های الکتریکی نمونه ها نیز توسط روش چهارسوزنه مورد مطالعه قرار گرفت. سطح لایه های مس در اثر تغییرات دما ، یکنواختی و پیوستگی خود را حفظ کردند و در محدوده دمایی مذکور از پایداری نسبتأ خوبی برخوردار بودند.مقاومت الکتریکی لایه ها در اثر افزایش دما و ضخامت کاهش یافت