سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

داوود رئوفی – دانشگاه بوعلی سینا ، دانشکده علوم ، گروه فیزیک ، همدان

چکیده:

دراین مقاله برخی ازویژگی های نوری گاف انرژی ونیز ساختاری لایه های نازک اکسید روی ZnO تهیه شده به روش سل ژل ارائه شده است بیناب هیا پراش XRD لایه های نازک نمونه که دردماها ی مختلف ۳۵۰*۴۵۰* و ۵۵۰ درجه سانتیگراد بازپخت شده اند ساختاری بلورین هگزاگونال با جهت گیری ترجیهی ۰۰۲ را نشان می دهند شفافیت نوری لایه ها نیزکه توسط یک دستگاه بیناب سنج نوری درناحیه مرئی بیناب ۳۰۰-۷۰۰ نانومتر اندازه گیری شده اند میزان تراگسیلی درحدود ۹۳% را نشان می دهند لبه جذب درطول موچ ۳۷۰ نانومتر که معادل گاف انرژی eV 3/3 است اتفاق می افتد .