سال انتشار: ۱۳۹۳
محل انتشار: همایش ملی الکترونیکی دستاوردهای نوین در علوم مهندسی و پایه
تعداد صفحات: ۵
نویسنده(ها):
پریسا اسماعیلی – کارشناس ارشد نانوالکترونیک
کریم عباسیان – استاد دانشگاه تبریز
غلامرضا کیانی – استاد دانشگاه تبریز

چکیده:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به بهبود قطعات می شود و در قدم گذاشتن بشر به عصر دیجیتال و الکترونیک نوین نقش مهمی را در ارتقا سطح زندگی ایفا می کند. اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازشمی کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و … نیمه هادی هاست قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه ۳ نیتریدی به ویژه نیمه هادی AIN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا AIN ساختار کریستالی , انرژی باند گپ , قابلیت تحرک پذیری, فرکانس بالا و توان مصرفی پایین را می دهد . این مقاله به بررسی ویژگی های نیمه هادی آلومینیوم نیترید در قطعات می پردازد