سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – آزمایشگ
بهزاد اسفندیارپور – آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
هادی ملکی – پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی

چکیده:

لایههای نازک نیترید سیلیکون بر روی زیرلایههای مولتی کریستال سیلیکون با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شدهاند . لایه نشانی در محیط گاز آرگن و نیتروژن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی مبتنی برمولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد . با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییر کرده و لایههایی با خواص نوری متفاوت بدست میآید . نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوششهای ضدبازتاب نیترید سیلیکون بهینه شده به کمک آنالیز RBS بررسی شده است . از آنالیزFTIRبرای بررسی خواص نوری این لایهها استفاده شده است . لایههای نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین-۱۵۰۱۰۰ وات لایه نشانی شدهاند، درصد عبور نوری بسیار بالایی ) %۹۲ در حدود شفافیت شیشههای نازک ) در طیف وسیع ۳۰۰-۱۲۰۰ nm دارا می – باشند . لایههای ضدبازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلولهای مولتی کریستال سیلیکون را از %۱۲ به کمتر از %۲ کاهش میدهند