سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

امیر جهانشاهی – دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
سیدمنوچهر حسینی – دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
بهزاد اسفندیار پور – دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
علی افضلی کوشا – دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران

چکیده:

در این مقاله اثر خازن حاشیه ای فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است . با استفاده از یک مدل تحلیلی نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد و با مقیاس شدن افزاره های نانومتری این تاثیر بیشتر می گردد . برای مدل کردن خازن حاشیه ای گیت های فلزی و پلی سیلیکون از شیوه نگاشت همدیس استفاده شده است .