سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

ام ایمن شیخ نژاد بیشه – دانش آموخته ی گروه شیمی فیزیک دانشکده ی علوم پایه ی دانشگاه مازندرا
سعید یگانگی – استادیار گروه شیمی فیزیک دانشکده ی علوم پایه ی دانشگاه مازندران

چکیده:

انرژی برهمکنش بین متان ـ گرافیت و متان ـ نانولوله ی کربنی تک لایه بررسی و محاسبات با کاربرد تئوری MP2 و نرم افزار شیمی کوانتومی گوسین ۹۸ انجام شد . برای رفع خطای انطباق توابع پایه در اتصال های ضعیف، از روش آویزش استفاده شد . ساختار متان و گرافیت، با تابع پایه ی ** ۶−۳۱G بهینه و سپس متان بر روی سطح گرافیت و نانولوله ی کربنی قرار داده شد . پس از اسکن فاصله ی بین ِکربن متان و سطح گرافیت و نانولوله ی کربنی طی ۲۰ مرحله، انرژی برهمکنش : ) ∆E(R)=E(A−B)−(E(A)−E(B) و انرژی اتصال متان برروی سطح گرافیت و نانولوله ی کربنی محاسبه شد . پایدارترین حالت را مشخص کردیم، سپس R و R p را برای هر سه حالت بدست آوردیم . با این محاسبات، دریافتیم که جذب متان بر روی سطح گرافیت بیشتر از جذب بر روی نانولوله ی کربنی می باشد