سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

عبدالرحمن نامدار – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
غفور خالندی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان

چکیده:

دراین مقاله ویژگی های گافهای باند دریک بلور فوتونیکی یک بعدی سه لایه ای سه لایه درهر تناوب شامل مواد اپسیلون – منفی . مو – منفی ومعممولی بررسی می شود نشان می دهیم که با افزایش ضخامت لایه معمولی هردولبه گاف فازصفرولیه بالایی گاف زاویه ای به بسامدهای پایین ترجابجا می شوند همچنین مطالعات ما نشان می دهد که لبه بالایی گاف زاویه ای با افزایش زاویه تابش به بسامدهای بالاتر انتقال می یابد درصورتی که درمورد گاف فاز صفر یکی از لبه ها مستقل اززاویه تابش است وجابجایی لبه دیگر آن با افزایش زاویه تابش به ضخامت لایه معمولی بستگی دارد .