سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: دومین کنفرانس ملی مهندسی برق

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

اعظم عسکری خشویی – کارشناس ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
آرش دقیقی – استادیار، گروه برق، دانشکده فنی، دانشگاه شهرکرد

چکیده:

در این مقاله مدل جدید غیر خطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس ۴۵nm ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی بدست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسات نتایج بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می دهد.