سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

رشید صفا ایسینی – آزمایشگاه
نگین معنویزاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیارپور – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
حسن غفوریفرد – دانشکده برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلیتکنیک تهران)، تهران

چکیده:

در این مقاله، ساختار کم هزینه Ni/Cu به عنوان تماس اهمی بر روی مولتی کریستال سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه گشته است. نیکل با استفاده از حمام واتز بر روی n+-Si در مدت زمانهای ۱۰، ۲۰، ۴۰ دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و مقاومت تماس، لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی بر روی لایه نیکل قرار گرفته است. آنالیزهای SEM ،XRD و EDX به منظور بررسی ساختار بلوری، ساختار سطحی و عناصر تشکیل دهنده این لایه ها انجام شده است. پس از الگودهی نقاب مورد نظر برای اندازه گیری مقاومت تماس از روش مدل خط انتقال (Transmission Line Model (TLM استفاده شده و با گرمادهی در دمای ۴۰۰درجه سانتیگراد مقاومت ویژه تماس ۴/۴ ضربدر ۱۰ به توان ۵- Ωcm² به دست آمده است که مقاومت تماس مناسبی برای کاربرد در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مولتی کریستال سیلیکون می باشد.