سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
علیرضا خدایاری – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل صلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
رضا افضل زاده – گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

لایههای نازک ITO با ضخامتهای مختلف ۱۳۰-۶۲۰ nm بر روی زیرلایههای شیشه نازک به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی لایه نشانی شده و سپس در دمای ۴۰۰°C در محیط خلأ پخت شدهاند . ساختار کریستالی، مشخصههای الکتریکی و اپتیکی نمونههای ITO توسط آنالیزهای XRD ، سیستم اندازه گیری مقاومت چهار ترمینالی و طیفUV/VIS/IR مورد بررسی قرار گرفته است . با بررسی نتایج حاصل از آنالیزهای انجام شده با افزایش ضخامت لایه، درصد عبوریمیانگین در طیف مرئی کاسته و مقاومت الکتریکی نیز کاهش مییابد . در مقابل، با بررسی طیف XRD لایهای که دارای ضخامت ۶۲۰ nm است، قلههای بهینه (۲۲۲) و (۴۰۰) نشان دهنده توازن شفافیت و هدایت الکتریکی میباشند