سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

حمید هراتی زاده – گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود ، بلوار دانشگاه ، شاهرود، انستیتوی فی
فروغ السادات طبسی – گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود
پراولاف هولتز – انستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ ، لینشوپینگ ، سوئد

چکیده:

ما در این مقاله نتایج مطالعه اپتیکی سه نمونه از چاههای چندگانه کوانتومی GaN/AlxGa1-xN که توسط سیلیکون در نقاط مختلف آلایش یافته اند را گزارش می کنیم . این مطالعه به روش فتولومینسانس انجام گرفته است . نمونه اول در ناحیه سد، نمونه دوم هر دو ناحیه چاه و سد و نمونه سوم در ناحیه چاه توسط Si و با چگالی یکسان آلایش یافته اند . در نمونه اول و دوم گسیل از چاههای چندگانه کوانتومی بالاتر از گاف انرژی GaN است . اما در نمونه سوم که چاه آلایش یافته است یک شیفت قابل ملاحظه به سمت انرژی های کم ( انتقال قرمز ) مشاهده می شود . انتقال انرژی گسیلی در نمونه آلایش یافته در چاه به دلیل اندرکنش بین الکترون – الکترون در بین الکترونهای می با شد که در افت و خیز پتانسیل ته چاه ناشی از حضور یونهای مثبت Siایجاد شده است