سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

ندا رحمانی، – تهران، ده ونک، گروه فیزیک دانشگاه الزهرا
رضا ثابت داریانی – تهران، ده ونک، گروه فیزیک دانشگاه الزهرا

چکیده:

در این کار تأثیر چگالی جریان و مدت زمان آندیزاسیون به عنوان دو پارامتر آندیزاسیون بر روی ساختار تخلخلی پایه هایسیلیکان تک کریستالی نوع p- و طیف فوتولومینسانس مربوط به آنها بررسی شد. افزایش چگالی جریان و همچنین مدت زمان آندیزاسیون باعث افزایش تخلخل نمونهها گردید. همچنین طیف فوتولومینسانس نمونهها نیز با افزایش چگالی جریان و مدت زمان آندیزاسیون، به سمت انرژیهای بالا جابه جا شد. به بیان دیگر پیک طیف فوتولومینسانس که بیانگر انرژی نوار گاف است، با افزایش تخلخل به سمت انرژی های بالا میل کرد که این در توافق با مدل محدودیت کوانتومی است.