سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مسعوده آقامحمد رفیع – کارشناس ارشد فیزیک حالت جامد

چکیده:

هدف از این کار بررسی اثر تغییرات پارامترهای فیزیکی مانند آلایش بستر ، تحرک پذیری میدان پایین و ضخامت لایه اکسید بر روی مشخصه های جریان – ولتاژیک ماسفت زیرمیکرون است که با استفاده از یک مدل جدید شبیه سازی شده است . این مدل دو ناحیه خطی و اشباع را دربر می گیرد و روش لایه نشانی تعدیلی آستانه برای اطمینان از دستیابی به ولتاژ آستانه مثبت در نظر گرفته شده است