سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

جعفر احدزاده فرهود بناب – دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار- ایران
سید ابراهیم حسینی –

چکیده:

در این مقاله به بررسی تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستور SOI-MOSFET در ابعاد نانو پرداخته شده است. این بررسی ها با استفاده از شبیه سازی مدل موازنه انرژی و انجام شبیه سازی های یک بعدی و دو بعدی صورت گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولتاژ آستانه در اثر توزیع غیریکنواخت ناخالصی ها در زیر گیت دستخوش تغییراتی می شود، که حداکثر این تغییرات در حالت یک بعدی (طولی) حدود ۵% و در دو بعدی (طولی و عمقی) حدود ۱۲/۵% می باشد