سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – آزمایشگاه تحقیقاتی
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
رضا افضل زاده – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران
هادی ملکی – پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک ، سازمان انرژی ات

چکیده:

لایه های نازک اکسید ایندیم با آلایش قطع (ITO) بر روی زیر لایه های شیشه نازک با استفاده از کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. هدف این پژوهش، تغییر توان کندوپاش برای بدست اوردن لایه ای با مقاومت الکتریکی حداقل و درصد عبور نوری مناسب در محدوده طول موجهای قابل دید (مرئی) می باشد. پس از لایه نشانی در محیط گاز آرگن، نمونه ها در محیط خلا در دمای ۴۰۰ درجه سانتی گراد پخت شده اند. خواص الکترکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و ساختار سطحیاین لایه ها با کمک آنالیزهای اندازه گیری مقاومت چهارپروبی، طیف AFM, XRD, UN/VIS/IR مورد بررسی قرار گرفته است. از میان لایه های ITO که در توانهای مختلف ۱۰۰، ۲۰۰ و ۳۰۰ وات و با شرایط مشابه لایه نشانی شدند. لایه ای بهینه است که در توان ۳۰۰ وات لایه نشانی شده و دارای مقاومت الکتریکی Wcm1/25 ´ده به توان منفی چهارو میانگین درصد عبور نوری ۸۰% در ناحیه قابل دید می باشد.