سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مهدی جعفری مته کلایی – دانشکدة فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود ، شاهرود
مرتضی ایزدی فرد – دانشکدة فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود ، شاهرود

چکیده:

در این مقاله ما نشان داده ایم که تاثیر آلایش نیتـروژن (۰≤x≤۲%) روی سـ اختارهای نیمرسـانای بـی نظـم GaInP/GaAs بـه یـک فراینـد آنتـی – اسـتوک فتولومینسانس ) (ASPL قوی منجر می شود . ما متوجه شده ایم که بازدة این فرایند به طور بحرانی به غلظت نیتروژن در نمونه ها وابسته اسـت . دلیل این مسأله به نظر ما احتمالا به تغییر نوع ردیف شدگی نواری د ر فصل مشترک این ساختارها بدلیل حضور نیتروژن مربوط می شود . همچنین در این مطالعـه مـی بینـیم کـه شدت سیگنال ASPL مشاهده شده تقریبا به طور خطی با چگالی توان تحریک تغییر میکند . بر اساس مشاهده سیگنالهای ASPL با بـازده بـالا حتـی در توانهـای تحریک بسیار پایین و نیز اندازه گیری پارامترهای وابسته به توان تحریک به نظر ما مکانیزم جذب دو فوتون دو مرحله ای برای توجیهوارونی انرژی در این فراینـد از دیگر مکانیزم ها محتمل تر .است