سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فطمه زارع نزاد – آزمایشگاه ماده چگال ، دانشکده علوم پایه گیلان ،
سید محمد روضاتی – گروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه گیلان ، رشت

چکیده:

فیلمهای نازک اکسید روی وغیر آلاینده به ایندیم به روش افشانه پایرولیززانباشته شده اند دراین مقاله بررسی ویژگی ساختاری الکتریکی و اپتیکی ازجمله ثابتهای اپتیکی و باند گاف لایه های غیر آلاییده و آلاییده با ایندیم انجام شده است با آلاییدگی ۱% ایندیم رسانش الکتریکی افزایش قابل ملاحظه ای می یابد همچنین بان گاف افزایش می یابد طیفهای فوتولومینسانس لایه های غیر آلاییده با ایندیم مقایسه شد .