سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فائزه محمدبیگی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، بلوار دانشگاه
حسین عشقی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، بلوار دانشگاه

چکیده:

در این مقاله به بررسی اثر تراکم الایش در لایه نوع n بربازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلول خورشیدی همگن با ساختار p/n با مواد نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs که به روش MOVPE رشد داده شده است پرداخته ایم. مدلسازی نظری ما مبتنی بر محاسبه عرض ناحیه تهی به کمک داده های تجربی بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه I-V حاکی از آن است که با کاهش تراکم آلایش در این لایه از ۱۷ ۱۰ بهcm3- 10 15×۵ پهنای ناحیه تهی در حدود ۰/۵ میکرون افزایش می یابد. همچنین دریافتیم این افزایش پهنا به افزایش در بازدهی کوانتومی داخلی و چگالی جریان اتصال کوتاه و نیز کاهش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی منجر می شود.